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CY7C1061G30	文件：563.24 Kbytes Page：18 Pages	16-Mbit (1 M words 횞 16 bit) Static RAM with Error-Correcting Code (ECC) Functional Description CY7C1061G and CY7C1061GE are high-performance CMOS fast static RAM devices with embedded ECC[1]. Both devices are offered in single and dual chip enable options and in multiple pin configurations. The CY7C1061GE device includes an ERR pin that signals a single-bit error-det 文件：563.24 Kbytes 页数：18 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C1061G30-10BV1XI	文件：300 bytes Page：1 Pages	异步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1061G30-10BV1XIT	文件：300 bytes Page：1 Pages	异步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1061G30-10BVJXI	文件：300 bytes Page：1 Pages	异步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1061G30-10BV1XET	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-VFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C1061G30-10BV1XI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-VFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C1061G30-10BV1XIT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-VFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS

技术参数

Peak Reflow Temp：
260 °C
Operating Temperature：
-40 °C to 125 °C
Operating Voltage(VCCQ)：
2.2 V to 3.6 V
Operating Voltage：
2.2 V to 3.6 V
Lead Ball Finish：
Sn/Ag/Cu
Interfaces：
Parallel
Family：
FAST SRAM
Organization (X x Y)：
1Mb x 16
Currently planned availability until at least：
2033
Qualification：
Automotive(E)
Speed：
10 ns

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