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CY7C1049GN30-10VXI	文件：300 bytes Page：1 Pages	异步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1049GN30-10VXI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1049GN30-10VXIT	文件：300 bytes Page：1 Pages	异步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1049GN30-10VXIT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

产品属性

产品编号：
CY7C1049GN30-10VXI
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
4Mb（512K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
2.2V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
36-SOJ
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

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