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CY7C1041GN30-10BVJXIT

静态随机存取存储器 ASYNC 静态随机存取存储器S

Infineon

英飞凌

CY7C1041GN30-10BVXI

异步 SRAM

Infineon

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CY7C1041GN30-10VXI

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英飞凌

CY7C1041GN30-10BVJXIT

Package:48-VFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1041GN30-10BVXI

Package:48-VFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1041GN30-10BVXIT

Package:48-VFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    CY7C1041GN30-10VXI

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    4Mb(256K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    10ns

  • 电压 - 供电:

    2.2V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    44-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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