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CY7C1019B-12VC	文件：194.66 Kbytes Page：9 Pages	128K x 8 Static RAM Features •Highspeed —tAA=10,12,15ns •CMOSforoptimumspeed/power •Centerpower/groundpinout •Automaticpower-downwhendeselected •EasymemoryexpansionwithCEandOEoptions •FunctionallyequivalenttoCY7C1019	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1019B-12VC	文件：329.6 Kbytes Page：8 Pages	128K x 8 Static RAM Features •Highspeed —tAA=12ns •CMOSforoptimumspeed/power •Centerpower/groundpinout •Automaticpower-downwhendeselected •EasymemoryexpansionwithCEandOEoptions •FunctionallyequivalenttoCY7C1019 •AvailableinPb-freeandnonPb-free32-pinTSOPII,non Pb-f	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1019B-12VC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	Cypress Semiconductor Corp Cypress Semiconductor Corp	Cypress Semiconductor Corp
CY7C1019B-12VC_06	文件：300 bytes Page：1 Pages	128K x 8 Static RAM; • High speed\n — tAA = 12 ns\n• CMOS for optimum speed/power\n• Center power/ground pinout\n• Automatic power-down when deselected\n• Easy memory expansion with CE and OE options\n• Functionally equivalent to CY7C1019\n• Available in Pb-free and non Pb-free 32-pin TSOP II, non\n Pb-free 400-mil-wide SOJ packages.;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
CY7C1019B-12VI	文件：194.66 Kbytes Page：9 Pages	128Kx8StaticRAM Features •Highspeed —tAA=10,12,15ns •CMOSforoptimumspeed/power •Centerpower/groundpinout •Automaticpower-downwhendeselected •EasymemoryexpansionwithCEandOEoptions •FunctionallyequivalenttoCY7C1019	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1019B-12ZC	文件：329.6 Kbytes Page：8 Pages	128Kx8StaticRAM Features •Highspeed —tAA=12ns •CMOSforoptimumspeed/power •Centerpower/groundpinout •Automaticpower-downwhendeselected •EasymemoryexpansionwithCEandOEoptions •FunctionallyequivalenttoCY7C1019 •AvailableinPb-freeandnonPb-free32-pinTSOPII,non Pb-f	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1019B-12ZC	文件：194.66 Kbytes Page：9 Pages	128Kx8StaticRAM Features •Highspeed —tAA=10,12,15ns •CMOSforoptimumspeed/power •Centerpower/groundpinout •Automaticpower-downwhendeselected •EasymemoryexpansionwithCEandOEoptions •FunctionallyequivalenttoCY7C1019	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1019B-12ZI	文件：194.66 Kbytes Page：9 Pages	128Kx8StaticRAM Features •Highspeed —tAA=10,12,15ns •CMOSforoptimumspeed/power •Centerpower/groundpinout •Automaticpower-downwhendeselected •EasymemoryexpansionwithCEandOEoptions •FunctionallyequivalenttoCY7C1019	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1019B-12ZXC	文件：329.6 Kbytes Page：8 Pages	128Kx8StaticRAM Features •Highspeed —tAA=12ns •CMOSforoptimumspeed/power •Centerpower/groundpinout •Automaticpower-downwhendeselected •EasymemoryexpansionwithCEandOEoptions •FunctionallyequivalenttoCY7C1019 •AvailableinPb-freeandnonPb-free32-pinTSOPII,non Pb-f	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

产品属性

产品编号：
CY7C1019B-12VC
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
12ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
32-SOJ
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

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更多CY7C1019B-12VC供应商更新时间2025-7-28 16:39:00

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