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CY7C1007D-10VXI

1-Mbit (1M x 1) Static RAM

文件:898.38 Kbytes 页数:11 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1007D-10VXI

1-Mbit (1M x 1) Static RAM

文件:859.5 Kbytes 页数:10 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1007D-10VXI

1-Mbit (1M x 1) Static RAM Low active power

文件:835.47 Kbytes 页数:14 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1007D-10VXI

Memories for Embedded Systems - Asynchronous SRAM - Async Fast SRAMs -

Infineon

英飞凌

CY7C1007D-10VXI

Package:28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1007D-10VXIT

Memories for Embedded Systems - Asynchronous SRAM - Async Fast SRAMs -

Infineon

英飞凌

CY7C1007D-10VXIT

Package:28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽);包装:管件管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    CY7C1007D-10VXI

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    1Mb(1M x 1)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    10ns

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    28-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多CY7C1007D-10VXI供应商 更新时间2025-11-18 16:12:00