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CY62167EV18LL-55BVXI	文件：530.73 Kbytes Page：12 Pages	16-Mbit (1M x 16) Static RAM Functional Description The CY62167EV18 is a high performance CMOS static RAM organized as 1M words by 16 bits. This device features advanced circuit design to provide ultra low active current. This is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL®) in portable applications such as cellular telepho 文件：530.73 Kbytes 页数：12 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62167EV18LL-55BVXI	文件：482.9 Kbytes Page：13 Pages	16 Mbit (1M x 16) Static RAM 文件：482.9 Kbytes 页数：13 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62167EV18LL-55BVXI	文件：314.21 Kbytes Page：16 Pages	16 Mbit (1M x 16) Static RAM Automatic power down when deselected 文件：314.21 Kbytes 页数：16 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62167EV18LL-55BVXI	文件：300 bytes Page：1 Pages	Asynchronous SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY62167EV18LL-55BVXI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-VFBGA；包装：散装托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62167EV18LL-55BVXIT	文件：300 bytes Page：1 Pages	异步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY62167EV18LL-55BVXIT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-VFBGA；包装：散装托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

产品属性

产品编号：
CY62167EV18LL-55BVXI
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
MoBL®
包装：
散装托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
16Mb（1M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
55ns
电压 - 供电：
1.65V ~ 2.25V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-VFBGA
供应商器件封装：
48-VFBGA（6x8）
描述：
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA

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