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CY62147EV30LL-45BVI	文件：619.21 Kbytes Page：12 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM 文件：619.21 Kbytes 页数：12 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY62147EV30LL-45BVI	文件：394.68 Kbytes Page：13 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM 文件：394.68 Kbytes 页数：13 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY62147EV30LL-45BVI	文件：516.039 Kbytes Page：16 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM Wide voltage range: 2.20 V to 3.60 V 文件：516.039 Kbytes 页数：16 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY62147EV30LL-45BVI	文件：300 bytes Page：1 Pages	Asynchronous SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY62147EV30LL-45BVI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-VFBGA；包装：管件管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY62147EV30LL-45BVIT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-VFBGA；包装：管件管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS

产品属性

产品编号：
CY62147EV30LL-45BVI
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
MoBL®
包装：
管件管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
4Mb（256K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
45ns
电压 - 供电：
2.2V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-VFBGA
供应商器件封装：
48-VFBGA（6x8）
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA

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