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CY62147EV18	文件：457.88 Kbytes Page：12 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM 文件：457.88 Kbytes 页数：12 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62147EV18	文件：479.29 Kbytes Page：12 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM 文件：479.29 Kbytes 页数：12 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62147EV18	文件：505.35 Kbytes Page：16 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM 文件：505.35 Kbytes 页数：16 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62147EV18	文件：300 bytes Page：1 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY62147EV18_10	文件：505.35 Kbytes Page：16 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM 文件：505.35 Kbytes 页数：16 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62147EV18LL	文件：505.35 Kbytes Page：16 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM 文件：505.35 Kbytes 页数：16 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62147EV18LL-55BVXI	文件：505.35 Kbytes Page：16 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM 文件：505.35 Kbytes 页数：16 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62147EV18LL-55BVXI	文件：479.29 Kbytes Page：12 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM 文件：479.29 Kbytes 页数：12 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62147EV18LL-55BVXI	文件：457.88 Kbytes Page：12 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM 文件：457.88 Kbytes 页数：12 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62147EV18LL-45BVXIT	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
4Mb （256K x 16）
写周期时间 - 字，页：
45ns
访问时间：
45ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
1.65V ~ 2.25V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
48-VFBGA
供应商器件封装：
48-VFBGA（6x8）

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CY62147EV18供应商更新时间2025-12-13 16:20:00

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