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CY62147DV30L	文件：393.28 Kbytes Page：12 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62147DV30L-55BVI	文件：393.28 Kbytes Page：12 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62147DV30L-55BVXE	文件：369.38 Kbytes Page：12 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62147DV30L-55BVXI	文件：393.28 Kbytes Page：12 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62147DV30L-55ZSXE	文件：369.38 Kbytes Page：12 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62147DV30L-55ZSXET	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
CY62147DV30L-55ZSXI	文件：393.28 Kbytes Page：12 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62147DV30L-70BVI	文件：393.28 Kbytes Page：12 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY62147DV30L-70BVXI	文件：393.28 Kbytes Page：12 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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技术参数

存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
4Mb （256K x 16）
写周期时间 - 字，页：
55ns
访问时间：
55ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
2.2V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
44-TSOP（0.400\，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP II

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