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CY62146E	文件：309.78 Kbytes Page：11 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM 文件：309.78 Kbytes 页数：11 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY62146E	文件：256.39 Kbytes Page：14 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM Automatic power down when deselected 文件：256.39 Kbytes 页数：14 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY62146E	文件：463.7 Kbytes Page：14 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM 文件：463.7 Kbytes 页数：14 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY62146E	文件：529.99 Kbytes Page：11 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM 文件：529.99 Kbytes 页数：11 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY62146EV30	文件：527.06 Kbytes Page：12 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM Functional Description The CY62146EV30 is a high performance CMOS static RAM organized as 256K words by 16 bits. This device features an advanced circuit design designed to provide an ultra low active current. Ultra low active current is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL®) in portable 文件：527.06 Kbytes 页数：12 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY62146EV30LL	文件：527.06 Kbytes Page：12 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM Functional Description The CY62146EV30 is a high performance CMOS static RAM organized as 256K words by 16 bits. This device features an advanced circuit design designed to provide an ultra low active current. Ultra low active current is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL®) in portable 文件：527.06 Kbytes 页数：12 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY62146EV30LL-45BVXI	文件：527.06 Kbytes Page：12 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM Functional Description The CY62146EV30 is a high performance CMOS static RAM organized as 256K words by 16 bits. This device features an advanced circuit design designed to provide an ultra low active current. Ultra low active current is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL®) in portable 文件：527.06 Kbytes 页数：12 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY62146EV30LL-45ZSXI	文件：527.06 Kbytes Page：12 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM Functional Description The CY62146EV30 is a high performance CMOS static RAM organized as 256K words by 16 bits. This device features an advanced circuit design designed to provide an ultra low active current. Ultra low active current is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL®) in portable 文件：527.06 Kbytes 页数：12 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY62146E_08	文件：309.78 Kbytes Page：11 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM 文件：309.78 Kbytes 页数：11 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY62146E_09	文件：336.77 Kbytes Page：11 Pages	4-Mbit (256K x 16) Static RAM 文件：336.77 Kbytes 页数：11 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS

技术参数

密度 (Kb)：
4096
频率 (MHz)：
无
最高工作温度 (°C)：
85
Max. Operating VCCQ (V)：
5.50
最高工作电压 (V)：
5.50
最低工作温度 (°C)：
-40
Min. Operating VCCQ (V)：
4.50
最低工作电压 (V)：
4.50
组织 (X x Y)：
256K x 16
Part Family：
Async Micropower (MoBL) SRAMs
速率 (ns)：
45
Tape & Reel：
否
温度分类：
工业

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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