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CY62127DV30LL-55BVXI

1 Mb (64K x 16) Static RAM

文件:384.56 Kbytes 页数:12 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY62127DV30LL-55BVXI

1-Mb (64K x 16) Static RAM

文件:554.53 Kbytes 页数:11 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY62127DV30LL-55BVXI

1-Mb (64K x 16) Static RAM

文件:549.15 Kbytes 页数:11 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY62127DV30LL-55BVXI

Memories for Embedded Systems - Asynchronous SRAM - Async Micropower (MoBL®) SRAMs -

Infineon

英飞凌

CY62127DV30LL-55BVXI

Package:48-VFBGA;包装:托盘托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY62127DV30LL-55BVXIT

Memories for Embedded Systems - Asynchronous SRAM - Async Micropower (MoBL®) SRAMs -

Infineon

英飞凌

CY62127DV30LL-55BVXIT

Package:48-VFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    CY62127DV30LL-55BVXI

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    MoBL®

  • 包装:

    托盘托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    1Mb(64K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    55ns

  • 电压 - 供电:

    2.2V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    48-VFBGA

  • 供应商器件封装:

    48-VFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA

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更多CY62127DV30LL-55BVXI供应商 更新时间2025-12-24 9:34:00