4Mb EXCELON??Ultra Ferroelectric RAM (F-RAM)

Features • 4-Mbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 512K × 8 - Virtually unlimited endurance of 100 trillion (1014) read/write cycles - 151-year data retention (see Data retention and endurance on page 98) - Infineon instant non-volatile write technology - Adva

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INFINEON

英飞凌

4Mb EXCELON™ Ultra Ferroelectric RAM (F-RAM) Serial (quad SPI), 512K × 8, 108 MHz, industrial

Features • 4-Mbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 512K × 8 - Virtually unlimited endurance of 100 trillion (1014) read/write cycles - 151-year data retention (see “Data retention and endurance” on page 101) - Infineon instant non-volatile write technology - A

文件：1.09351 Mbytes 页数：122 Pages

INFINEON

英飞凌

Excelon??Ultra 4-Mbit (512K 횞 8) Quad SPI F-RAM

文件：1.51596 Mbytes 页数：90 Pages

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

F-RAM（铁电RAM）

Infineon

英飞凌

F-RAM（铁电RAM）

Infineon

英飞凌

4Mb 1.8V Industrial 108MHz QSPI EXCELON™ F-RAM in 8-pin SOIC

Infineon

英飞凌

Package：8-UQFN；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC FRAM 4MBIT SPI/QUAD I/O 8GQFN

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

Package：8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC FRAM 4MBIT SPI/QUAD I/O 8SOIC

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

Package：8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC FRAM 4MBIT SPI/QUAD I/O 8SOIC

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司