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CY15B102QSN	文件：988.91 Kbytes Page：114 Pages	2 Mb EXCELON™ Ultra Ferroelectric RAM (F-RAM) Serial (quad SPI), 256K × 8, 108 MHz, industrial Features • 2-Mbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 256K × 8 - Virtually unlimited endurance of 100 trillion (1014) read/write cycles - 151-year data retention (See “Data retention and endurance” on page 96) - Infineon instant non-volatile write technology - Ad 文件：988.91 Kbytes 页数：114 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
CY15B102QSN-108SXI	文件：988.91 Kbytes Page：114 Pages	2 Mb EXCELON™ Ultra Ferroelectric RAM (F-RAM) Serial (quad SPI), 256K × 8, 108 MHz, industrial Features • 2-Mbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 256K × 8 - Virtually unlimited endurance of 100 trillion (1014) read/write cycles - 151-year data retention (See “Data retention and endurance” on page 96) - Infineon instant non-volatile write technology - Ad 文件：988.91 Kbytes 页数：114 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
CY15B102QSN-108SXI	文件：300 bytes Page：1 Pages	F-RAM（铁电RAM）	Infineon 英飞凌	Infineon
CY15B102Q-SXE	文件：1.44665 Mbytes Page：22 Pages	2-Mbit (256 K 횞 8) Serial (SPI) Automotive F-RAM 文件：1.44665 Mbytes 页数：22 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY15B102Q-SXET	文件：1.44665 Mbytes Page：22 Pages	2-Mbit (256 K 횞 8) Serial (SPI) Automotive F-RAM 文件：1.44665 Mbytes 页数：22 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS

技术参数

密度 (Kb)：
2048
频率 (MHz)：
108
接口：
QSPI
最高工作温度 (°C)：
85
Max. Operating VCCQ (V)：
3.60
最高工作电压 (V)：
3.60
最低工作温度 (°C)：
-40
Min. Operating VCCQ (V)：
1.80
最低工作电压 (V)：
1.80
组织 (X x Y)：
256Kb x 8
Part Family：
Serial FRAM
速率 (ns)：
0
Tape & Reel：
否
温度分类：
工业

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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