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CY14V104LA-BA25XI	文件：910.06 Kbytes Page：22 Pages	4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times 文件：910.06 Kbytes 页数：22 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY14V104LA-BA25XIT	文件：300 bytes Page：1 Pages	nvSRAM (non-volatile SRAM)	Infineon 英飞凌	Infineon
CY14V104LA-BA45XI	文件：300 bytes Page：1 Pages	nvsRAM（非易失性 SRAM）	Infineon 英飞凌	Infineon
CY14V104LA-BA45XIT	文件：300 bytes Page：1 Pages	nvsRAM（非易失性 SRAM）	Infineon 英飞凌	Infineon
CY14V104LA-BA25XIT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14V104LA-BA45XI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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产品属性

产品编号：
CY14V104LA-BA45XI
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
4Mb（512K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
45ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFBGA
供应商器件封装：
48-FBGA（6x10）
描述：
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

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