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CY14V101NA	文件：921.87 Kbytes Page：22 Pages	1-Mbit (128 K x 8/64 K x 16) nvSRAM Infinite read, write, and recall cycles 文件：921.87 Kbytes 页数：22 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY14V101NA-BA25XI	文件：921.87 Kbytes Page：22 Pages	1-Mbit (128 K x 8/64 K x 16) nvSRAM Infinite read, write, and recall cycles 文件：921.87 Kbytes 页数：22 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY14V101NA-BA25XIT	文件：921.87 Kbytes Page：22 Pages	1-Mbit (128 K x 8/64 K x 16) nvSRAM Infinite read, write, and recall cycles 文件：921.87 Kbytes 页数：22 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY14V101NA-BA45XI	文件：921.87 Kbytes Page：22 Pages	1-Mbit (128 K x 8/64 K x 16) nvSRAM Infinite read, write, and recall cycles 文件：921.87 Kbytes 页数：22 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY14V101NA-BA45XIT	文件：921.87 Kbytes Page：22 Pages	1-Mbit (128 K x 8/64 K x 16) nvSRAM Infinite read, write, and recall cycles 文件：921.87 Kbytes 页数：22 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY14V101NA-BA25XI	文件：300 bytes Page：1 Pages	nvsRAM（非易失性 SRAM）	Infineon 英飞凌	Infineon
CY14V101NA-BA45XI	文件：300 bytes Page：1 Pages	nvsRAM（非易失性 SRAM）	Infineon 英飞凌	Infineon
CY14V101NA-BA45XIT	文件：300 bytes Page：1 Pages	nvSRAM (non-volatile SRAM)	Infineon 英飞凌	Infineon
CY14V101NA-BA25XIT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY14V101NA-BA45XI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS

技术参数

密度 (Kb)：
1024
频率 (MHz)：
无
接口：
Parallel
最高工作温度 (°C)：
85
Max. Operating VCCQ (V)：
1.95
最高工作电压 (V)：
3.60
最低工作温度 (°C)：
-40
Min. Operating VCCQ (V)：
1.65
最低工作电压 (V)：
2.70
组织 (X x Y)：
64Kb x 16
Part Family：
并行 nvSRAM
速率 (ns)：
25
Tape & Reel：
否
温度分类：
工业

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