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CY14E116N	文件：4.07253 Mbytes Page：37 Pages	16-Mbit (2048K 횞 8/1024K 횞 16/512K 횞 32) nvSRAM 文件：4.07253 Mbytes 页数：37 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14E116N-Z30XI	文件：4.07253 Mbytes Page：37 Pages	16-Mbit (2048K 횞 8/1024K 횞 16/512K 횞 32) nvSRAM 文件：4.07253 Mbytes 页数：37 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14E116N-Z30XIT	文件：4.07253 Mbytes Page：37 Pages	16-Mbit (2048K 횞 8/1024K 횞 16/512K 횞 32) nvSRAM 文件：4.07253 Mbytes 页数：37 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14E116N-Z45XI	文件：4.07253 Mbytes Page：37 Pages	16-Mbit (2048K 횞 8/1024K 횞 16/512K 횞 32) nvSRAM 文件：4.07253 Mbytes 页数：37 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14E116N-Z45XIT	文件：4.07253 Mbytes Page：37 Pages	16-Mbit (2048K 횞 8/1024K 횞 16/512K 횞 32) nvSRAM 文件：4.07253 Mbytes 页数：37 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14E116N-ZSP25XI	文件：4.07253 Mbytes Page：37 Pages	16-Mbit (2048K 횞 8/1024K 횞 16/512K 횞 32) nvSRAM 文件：4.07253 Mbytes 页数：37 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14E116N-Z30XI	文件：300 bytes Page：1 Pages	nvSRAM (non-volatile SRAM)	Infineon 英飞凌	Infineon
CY14E116N-Z30XIKK	文件：300 bytes Page：1 Pages	并行 nvSRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY14E116N-Z30XIT	文件：300 bytes Page：1 Pages	nvsRAM（非易失性 SRAM）	Infineon 英飞凌	Infineon
CY14E116N-Z30XI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 16MBIT PAR 48TSOP I	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

技术参数

密度 (Kb)：
16384
频率 (MHz)：
无
接口：
Parallel
最高工作温度 (°C)：
85
Max. Operating VCCQ (V)：
5.50
最高工作电压 (V)：
5.50
最低工作温度 (°C)：
-40
Min. Operating VCCQ (V)：
4.50
最低工作电压 (V)：
4.50
组织 (X x Y)：
1Mb x 16
Part Family：
并行 nvSRAM
速率 (ns)：
30
Tape & Reel：
否
温度分类：
工业

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CY14E116N供应商更新时间2025-11-25 15:17:00

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