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CY14E101Q	文件：1.09598 Mbytes Page：34 Pages	1-Mbit (128 K x 8) Serial (SPI) nvSRAM Data retention: 20 years at 85 째C Functional Overview The Cypress CY14X101Q combines a 1-Mbit nvSRAM with a nonvolatile element in each memory cell with serial SPI interface. The memory is organized as 128 K words of 8 bits each. The embedded nonvolatile elements incorporate the QuantumTrap technology, creating the world’s most 文件：1.09598 Mbytes 页数：34 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14E101Q2A-SXI	文件：300 bytes Page：1 Pages	nvsRAM（非易失性 SRAM）	Infineon 英飞凌	Infineon
CY14E101Q2A-SXIT	文件：300 bytes Page：1 Pages	nvsRAM（非易失性 SRAM）	Infineon 英飞凌	Infineon
CY14E101Q1A-SXIT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14E101Q2A-SXI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14E101Q2A-SXIT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

技术参数

Peak Reflow Temp：
260 °C
Operating Temperature：
-40 °C to 85 °C
Operating Voltage(VCCQ) max：
5.5 V
Operating Voltage：
4.5 V to 5.5 V
Lead Ball Finish：
Ni/Pd/Au
Interfaces：
SPI
Organization (X x Y)：
128Kb x 8
Qualification：
Industrial
Speed：
0 ns
Frequency：
40 MHz

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更多CY14E101Q供应商更新时间2025-12-11 16:19:00

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