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CY14B116S	文件：4.07253 Mbytes Page：37 Pages	16-Mbit (2048K 횞 8/1024K 횞 16/512K 횞 32) nvSRAM 文件：4.07253 Mbytes 页数：37 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B116S-BZ25XI	文件：4.07253 Mbytes Page：37 Pages	16-Mbit (2048K 횞 8/1024K 횞 16/512K 횞 32) nvSRAM 文件：4.07253 Mbytes 页数：37 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY14B116S-BZ25XIT	文件：300 bytes Page：1 Pages	nvsRAM（非易失性 SRAM）	Infineon 英飞凌	Infineon
CY14B116S-BZ35XIT	文件：300 bytes Page：1 Pages	nvSRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY14B116S-BZ45XIT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memories for Embedded Systems - nvSRAM - nvSRAM Parallel -	Infineon 英飞凌	Infineon
CY14B116S-BZ25XI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 16MBIT PAR 165FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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技术参数

密度 (Kb)：
16384
频率 (MHz)：
无
接口：
Parallel
最高工作温度 (°C)：
85
Max. Operating VCCQ (V)：
3.60
最高工作电压 (V)：
3.60
最低工作温度 (°C)：
-40
Min. Operating VCCQ (V)：
2.70
最低工作电压 (V)：
2.70
组织 (X x Y)：
512Kb x 32
Part Family：
并行 nvSRAM
速率 (ns)：
25
Tape & Reel：
否
温度分类：
工业

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