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CY14B108L	文件：860.72 Kbytes Page：24 Pages	8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B108L/CY14B108NisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas1024Kbytesof8bitseachor512Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B108L	文件：952.74 Kbytes Page：25 Pages	8-Mbit (1024 K x 8/512 K x 16) nvSRAM Infinite Read, Write, and RECALL cycles	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B108L	文件：889.09 Kbytes Page：24 Pages	8-Mbit (1024 K 횞 8/512 K 횞 16) nvSRAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B108L-BA20XC	文件：860.72 Kbytes Page：24 Pages	8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B108L/CY14B108NisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas1024Kbytesof8bitseachor512Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B108L-BA20XCT	文件：860.72 Kbytes Page：24 Pages	8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B108L/CY14B108NisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas1024Kbytesof8bitseachor512Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B108L-BA20XI	文件：860.72 Kbytes Page：24 Pages	8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B108L/CY14B108NisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas1024Kbytesof8bitseachor512Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B108L-BA20XIT	文件：860.72 Kbytes Page：24 Pages	8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B108L/CY14B108NisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas1024Kbytesof8bitseachor512Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B108L-BA25XC	文件：860.72 Kbytes Page：24 Pages	8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B108L/CY14B108NisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas1024Kbytesof8bitseachor512Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B108L-BA25XCT	文件：860.72 Kbytes Page：24 Pages	8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B108L/CY14B108NisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas1024Kbytesof8bitseachor512Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B108L-BA25XI	文件：860.72 Kbytes Page：24 Pages	8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B108L/CY14B108NisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas1024Kbytesof8bitseachor512Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

技术参数

密度 (Kb)：
8192
频率 (MHz)：
无
接口：
Parallel
最高工作温度 (°C)：
85
Max. Operating VCCQ (V)：
3.60
最高工作电压 (V)：
3.60
最低工作温度 (°C)：
-40
Min. Operating VCCQ (V)：
2.70
最低工作电压 (V)：
2.70
组织 (X x Y)：
1Mb x 8
Part Family：
并行 nvSRAM
速率 (ns)：
25
Tape & Reel：
否
温度分类：
工业

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