4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

Functional Description The Cypress CY14B104LA/CY14B104NA is a fast static RAM, with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is organized as 512K bytes of 8 bits each or 256K words of 16 bits each. The embedded nonvolatile elements incorporate QuantumTrap technology, producing the wo

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4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM

Functional Description The Cypress CY14B104LA/CY14B104NA is a fast static RAM, with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is organized as 512K bytes of 8 bits each or 256K words of 16 bits each. The embedded nonvolatile elements incorporate QuantumTrap technology, producing the wo

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4-Mbit (512 K 횞 8/256 K 횞 16) nvSRAM

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4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times

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4-Mbit (512 K 횞 8/256 K 횞 16) nvSRAM

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nvsRAM（非易失性 SRAM）

Infineon

英飞凌

Package：48-TFBGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

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