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CY14B104NA-BA20XCT	文件：863.54 Kbytes Page：23 Pages	4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B104NA-BA20XI	文件：863.54 Kbytes Page：23 Pages	4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B104NA-BA20XI	文件：988.32 Kbytes Page：26 Pages	4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B104NA-BA20XIT	文件：863.54 Kbytes Page：23 Pages	4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B104NA-BA20XIT	文件：988.32 Kbytes Page：26 Pages	4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

技术参数

密度 (Kb)：
4096
频率 (MHz)：
无
接口：
Parallel
最高工作温度 (°C)：
85
Max. Operating VCCQ (V)：
3.60
最高工作电压 (V)：
3.60
最低工作温度 (°C)：
-40
Min. Operating VCCQ (V)：
2.70
最低工作电压 (V)：
2.70
组织 (X x Y)：
256Kb x 16
Part Family：
并行 nvSRAM
速率 (ns)：
20
Tape & Reel：
否
温度分类：
工业

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