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CY14B104LA-ZS20XIT	文件：991.18 Kbytes Page：24 Pages	4-Mbit (512 K 횞 8/256 K 횞 16) nvSRAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY14B104LA-ZS20XIT	文件：977.41 Kbytes Page：26 Pages	4-Mbit (512 K 횞 8/256 K 횞 16) nvSRAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY14B104LA-ZS25XI	文件：300 bytes Page：1 Pages	nvSRAM (non-volatile SRAM)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
CY14B104LA-ZS25XI	文件：991.18 Kbytes Page：24 Pages	4-Mbit (512 K 횞 8/256 K 횞 16) nvSRAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
CY14B104LA-ZS25XI	文件：961.93 Kbytes Page：25 Pages	4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
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技术参数

密度 (Kb)：
4096
频率 (MHz)：
无
接口：
Parallel
最高工作温度 (°C)：
85
Max. Operating VCCQ (V)：
3.60
最高工作电压 (V)：
3.60
最低工作温度 (°C)：
-40
Min. Operating VCCQ (V)：
2.70
最低工作电压 (V)：
2.70
组织 (X x Y)：
512Kb x 8
Part Family：
并行 nvSRAM
速率 (ns)：
25
Tape & Reel：
否
温度分类：
工业

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更多CY14B104L供应商更新时间2025-8-4 13:58:00

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