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CY14B101LA	文件：810.8 Kbytes Page：24 Pages	1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B101LA/CY14B101NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas128Kbytesof8bitseachor64Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY14B101LA-SP20XC	文件：810.8 Kbytes Page：24 Pages	1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B101LA/CY14B101NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas128Kbytesof8bitseachor64Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B101LA-SP20XCT	文件：810.8 Kbytes Page：24 Pages	1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B101LA/CY14B101NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas128Kbytesof8bitseachor64Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B101LA-SP20XI	文件：810.8 Kbytes Page：24 Pages	1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B101LA/CY14B101NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas128Kbytesof8bitseachor64Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B101LA-SP20XIT	文件：810.8 Kbytes Page：24 Pages	1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B101LA/CY14B101NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas128Kbytesof8bitseachor64Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B101LA-SP25XC	文件：810.8 Kbytes Page：24 Pages	1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B101LA/CY14B101NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas128Kbytesof8bitseachor64Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B101LA-SP25XCT	文件：810.8 Kbytes Page：24 Pages	1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B101LA/CY14B101NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas128Kbytesof8bitseachor64Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B101LA-SP25XI	文件：810.8 Kbytes Page：24 Pages	1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B101LA/CY14B101NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas128Kbytesof8bitseachor64Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B101LA-SP25XIT	文件：810.8 Kbytes Page：24 Pages	1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B101LA/CY14B101NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas128Kbytesof8bitseachor64Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

技术参数

密度 (Kb)：
1024
频率 (MHz)：
无
接口：
Parallel
最高工作温度 (°C)：
85
Max. Operating VCCQ (V)：
3.60
最高工作电压 (V)：
3.60
最低工作温度 (°C)：
-40
Min. Operating VCCQ (V)：
2.70
最低工作电压 (V)：
2.70
组织 (X x Y)：
128Kb x 8
Part Family：
并行 nvSRAM
速率 (ns)：
25
Tape & Reel：
否
温度分类：
工业

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