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CY14B101LA-ZS20XIT	文件：810.8 Kbytes Page：24 Pages	1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM Functional Description The Cypress CY14B101LA/CY14B101NA is a fast static RAM, with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is organized as 128K bytes of 8 bits each or 64K words of 16 bits each. The embedded nonvolatile elements incorporate QuantumTrap technology, producing the wor 文件：810.8 Kbytes 页数：24 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B101LA-ZS20XIT	文件：1.05739 Mbytes Page：28 Pages	1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM 文件：1.05739 Mbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B101LA-ZS20XIT	文件：725.17 Kbytes Page：29 Pages	1-Mbit (128 K 횞 8/64 K 횞 16) nvSRAM 文件：725.17 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY14B101LA-ZS20XIT	文件：300 bytes Page：1 Pages	nvSRAM (non-volatile SRAM)	Infineon 英飞凌	Infineon
CY14B101LA-ZS20XIT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

产品属性

产品编号：
CY14B101LA-ZS20XIT
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
20ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP II
描述：
IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II

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