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CY14B104LA-BA45XIT	文件：863.54 Kbytes Page：23 Pages	4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM Functional Description The Cypress CY14B104LA/CY14B104NA is a fast static RAM, with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is organized as 512K bytes of 8 bits each or 256K words of 16 bits each. The embedded nonvolatile elements incorporate QuantumTrap technology, producing the wo 文件：863.54 Kbytes 页数：23 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY14B104LA-BA45XIT	文件：988.32 Kbytes Page：26 Pages	4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM Functional Description The Cypress CY14B104LA/CY14B104NA is a fast static RAM, with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is organized as 512K bytes of 8 bits each or 256K words of 16 bits each. The embedded nonvolatile elements incorporate QuantumTrap technology, producing the wo 文件：988.32 Kbytes 页数：26 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY14B104LA-ZS20XC	文件：863.54 Kbytes Page：23 Pages	4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM Functional Description The Cypress CY14B104LA/CY14B104NA is a fast static RAM, with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is organized as 512K bytes of 8 bits each or 256K words of 16 bits each. The embedded nonvolatile elements incorporate QuantumTrap technology, producing the wo 文件：863.54 Kbytes 页数：23 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY14B104LA-ZS20XCT	文件：863.54 Kbytes Page：23 Pages	4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM Functional Description The Cypress CY14B104LA/CY14B104NA is a fast static RAM, with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is organized as 512K bytes of 8 bits each or 256K words of 16 bits each. The embedded nonvolatile elements incorporate QuantumTrap technology, producing the wo 文件：863.54 Kbytes 页数：23 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY14B104LA-ZS20XI	文件：863.54 Kbytes Page：23 Pages	4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM Functional Description The Cypress CY14B104LA/CY14B104NA is a fast static RAM, with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is organized as 512K bytes of 8 bits each or 256K words of 16 bits each. The embedded nonvolatile elements incorporate QuantumTrap technology, producing the wo 文件：863.54 Kbytes 页数：23 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY14B104LA-ZS20XI	文件：988.32 Kbytes Page：26 Pages	4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM Functional Description The Cypress CY14B104LA/CY14B104NA is a fast static RAM, with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is organized as 512K bytes of 8 bits each or 256K words of 16 bits each. The embedded nonvolatile elements incorporate QuantumTrap technology, producing the wo 文件：988.32 Kbytes 页数：26 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY14B104LA-ZS20XIT	文件：863.54 Kbytes Page：23 Pages	4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM Functional Description The Cypress CY14B104LA/CY14B104NA is a fast static RAM, with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is organized as 512K bytes of 8 bits each or 256K words of 16 bits each. The embedded nonvolatile elements incorporate QuantumTrap technology, producing the wo 文件：863.54 Kbytes 页数：23 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY14B104LA-ZS20XIT	文件：988.32 Kbytes Page：26 Pages	4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM Functional Description The Cypress CY14B104LA/CY14B104NA is a fast static RAM, with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is organized as 512K bytes of 8 bits each or 256K words of 16 bits each. The embedded nonvolatile elements incorporate QuantumTrap technology, producing the wo 文件：988.32 Kbytes 页数：26 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY14B104LA-ZS25XC	文件：863.54 Kbytes Page：23 Pages	4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM Functional Description The Cypress CY14B104LA/CY14B104NA is a fast static RAM, with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is organized as 512K bytes of 8 bits each or 256K words of 16 bits each. The embedded nonvolatile elements incorporate QuantumTrap technology, producing the wo 文件：863.54 Kbytes 页数：23 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY14B104LA-ZS25XCT	文件：863.54 Kbytes Page：23 Pages	4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM Functional Description The Cypress CY14B104LA/CY14B104NA is a fast static RAM, with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is organized as 512K bytes of 8 bits each or 256K words of 16 bits each. The embedded nonvolatile elements incorporate QuantumTrap technology, producing the wo 文件：863.54 Kbytes 页数：23 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS

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技术参数

合格汽车：
否
密度 (Kb)：
64
频率 (MHz)：
3.4
接口：
I2C
最高工作温度 (°C)：
85
Max. Operating VCCQ (V)：
3.60
最高工作电压 (V)：
3.60
最低工作温度 (°C)：
-40
Min. Operating VCCQ (V)：
2.70
最低工作电压 (V)：
2.70
组织 (X x Y)：
8Kb x 8
Part Family：
串行 nvSRAM
RTC：
是
速率 (ns)：
无
Tape & Reel：
否
温度分类：
工业
看门狗定时器：
是

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深圳市斌腾达科技有限公司	CY14B104N-BA45XIT	Cypress Semiconductor Corp	21+	119-BGA	5280	进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营	询价
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