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MAX5863ETM	文件：1.67311 Mbytes Page：26 Pages	Ultra-Low-Power,High-DynamicPerformance,7.5MspsAnalogFrontEnd	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
NTP5863N	文件：110.09 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP5863NG	文件：110.09 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5863NL	文件：138.5 Kbytes Page：6 Pages	SingleN?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5863NL	文件：261.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=82A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.1mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PJQ5863A-AU	文件：409.11 Kbytes Page：6 Pages	60VDualP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ●RDS(ON),VGS@-10V,ID@-7.5A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
S5863	文件：77.61 Kbytes Page：1 Pages	ISDNS-INTERFACETRANSFORMER	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND
UG5863	文件：1.75864 Mbytes Page：26 Pages	MAXREFDES27#IO-LinkProximitySensorQuickStartGuide	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim

更多CXK5863AJ供应商更新时间2025-5-22 11:02:00