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MAX5863ETM

Ultra-Low-Power, High-Dynamic Performance, 7.5Msps Analog Front End

文件:1.67311 Mbytes 页数:26 Pages

Maxim

美信

MAX5863ETM+

Package:48-WFQFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 模拟前端(AFE) 描述:IC AFE 8/10BIT 7.5MSPS 48-TQFN

AD

亚德诺

MAX5863ETM+T

Package:48-WFQFN 裸露焊盘;包装:管件 类别:集成电路(IC) 模拟前端(AFE) 描述:IC AFE 4 CHAN 8/10BIT 48TQFN

AD

亚德诺

NTP5863N

N-Channel Power MOSFET

文件:110.09 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTP5863NG

N-Channel Power MOSFET

文件:110.09 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVD5863NL

Single N?묬hannel Power MOSFET

文件:138.5 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    MAX5863ETM

  • 功能描述:

    ADC/DAC多通道

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 分辨率:

    8 bit

  • 接口类型:

    SPI

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    2 V

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    VQFN-40

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
maxim
20+
BGA
5000
全新原装
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FM/富满电子
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SOP7
69820
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QFN
2000
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MAXIM
21+
QFN
2700
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Maxim
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2019+/2020+
QFP160
2000
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2022+
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2000
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QFN48
3096
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Maxim(美信)
23+
标准封装
6000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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更多MAX5863ETM供应商 更新时间2025-10-6 10:04:00