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CWDM305ND	文件：1.14878 Mbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET 文件：1.14878 Mbytes 页数：3 Pages	Central	Central
CWDM305ND	文件：1.53581 Mbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.53581 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
CWDM305ND_15	文件：1.14878 Mbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET 文件：1.14878 Mbytes 页数：3 Pages	Central	Central
CWDM305ND	文件：300 bytes Page：1 Pages	Surface mount MOSFET Dual: N-Channel Enhancement Mode High Current	Central	Central

技术参数

Case：
SOIC-8 (SOP8)
Configuration/ Description：
Dual
Polarity：
N-CH
VDS MAX：
30V
VGS MAX：
20V
ID MAX：
5.8A
PD MAX：
2W
rDS(ON) MAX：
34mΩ
@VGS：
5V
@ID：
2.9A
Qg TYP：
4.2nc
Qg MAX：
6.3nc
Crss MAX：
54pF
Ciss MAX：
560pF
Coss MAX：
90pF

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更多CWDM305ND供应商更新时间2025-12-13 14:00:00

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