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CWDM3011N	文件：1.14289 Mbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET 文件：1.14289 Mbytes 页数：3 Pages	Central	Central
CWDM3011N	文件：1.52641 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.52641 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
CWDM3011N_15	文件：1.14289 Mbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET 文件：1.14289 Mbytes 页数：3 Pages	Central	Central
CWDM3011N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Surface mount MOSFET N-Channel Enhancement Mode High Current	Central	Central

技术参数

Case：
SOIC-8 (SOP8)
Configuration/ Description：
N-Channel Enhancement Mode High Current
Polarity：
N-CH
VDS MAX：
30V
VGS MAX：
20V
ID MAX：
11A
PD MAX：
2.5W
rDS(ON) MAX：
30mΩ
@VGS：
4.5V
@ID：
9A
Qg TYP：
6.3nc

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市盈慧通电子有限公司	CWDM3011N	CENTRAL	2511	SOIC-8(SOP8)	360000	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
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