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CTLDM8002A-M621

SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET

文件:616.97 Kbytes 页数:2 Pages

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CTLDM8002A-M621

Surface mount MOSFET P-Channel Enhancement Mode

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CTLDM8002A-M621_15

SURFACE MOUNT SILICON P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET

文件:1.09922 Mbytes 页数:4 Pages

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CTLDM8002A-M621H

SURFACE MOUNT TLM P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET

文件:172.7 Kbytes 页数:2 Pages

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CTLDM8002A-M621H_10

SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET

文件:427.03 Kbytes 页数:2 Pages

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CTLDM8002A-M621H_15

SURFACE MOUNT SILICON P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET

文件:916.17 Kbytes 页数:4 Pages

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CTLDM8002A-M621H

Surface mount MOSFET P-Channel Enhancement Mode

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技术参数

  • Case:

    TLM621 (DFN2010-6)

  • Configuration/ Description:

    P-Channel Enhancement Mode

  • Polarity:

    P-CH

  • VDS MAX:

    50V

  • VGS MAX:

    20V

  • ID MAX:

    280mA

  • PD MAX:

    900mW

  • rDS(ON) MAX:

  • @VGS:

    10V

  • @ID:

    500mA

  • Qg TYP:

    0.72nc

  • Crss MAX:

    7pF

  • Ciss MAX:

    70pF

  • Coss MAX:

    15pF

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