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CTLDM7120-M832D	文件：475.73 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT DUAL, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFETS 文件：475.73 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CTLDM7120-M832DS-BK	文件：758.99 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM8120-M832DS is an Enhancement-mode Dual P-Channel MOSFET, manufactured by the P-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage. APPLICATIONS: • Sw 文件：758.99 Kbytes 页数：5 Pages	Central	Central
CTLDM7120-M832DS-TR	文件：758.99 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM8120-M832DS is an Enhancement-mode Dual P-Channel MOSFET, manufactured by the P-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage. APPLICATIONS: • Sw 文件：758.99 Kbytes 页数：5 Pages	Central	Central
CTLDM7120-M832D_15	文件：475.73 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT DUAL, N-CHANNEL ENHANCEMENT- SILICON MOSFETS 文件：475.73 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CTLDM7120-M832DS	文件：619.66 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET 文件：619.66 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CTLDM7120-M832D	文件：300 bytes Page：1 Pages	Surface mount MOSFET Dual N-Channel Enhancement Mode	Central	Central
CTLDM7120-M832DS	文件：300 bytes Page：1 Pages	Surface mount MOSFET Dual N-Channel Enhancement Mode	Central	Central

技术参数

Case：
TLM832D (UDFN3020-8B)
Configuration/ Description：
Dual N-Channel Enhancement Mode
Polarity：
N-CH
VDS MAX：
20V
VGS MAX：
8V
ID MAX：
1A
PD MAX：
1.65W
rDS(ON) MAX：
140mΩ
@VGS：
2.5V
@ID：
500mA
Qg TYP：
2.4nc

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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