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CTB06N005

68V N-Channel Trench MOSFET;

ConvertSuzhou Convert Semiconductor Co.,Ltd.

锴威特苏州锴威特半导体股份有限公司

技术参数

  • Package:

    TO-263

  • Configuration:

    single

  • Type:

    N

  • ESD Diode:

    No

  • FRD Diode:

    No

  • VDS(V):

    68

  • VGS(±V):

    20

  • ID* (A) @25°C:

    135

  • RDS(ON) (mΩ)* atVGS=10Vtyp:

    4.2

  • RDS(ON) (mΩ)* atVGS=10Vmax:

    5

  • VGS(th) (V)min:

    2

  • VGS(th) (V)max:

    4

  • Ciss (pF):

    6646

  • Coss (pF):

    443

  • Crss (pF):

    396

  • Qg* (nC):

    114

  • Qgd (nC):

    34

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更多CTB06N005供应商 更新时间2025-7-29 15:01:00