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CSW2012	文件：207.87 Kbytes Page：3 Pages	COMPACT SINE WAVE ON THE GO Features •CompactandLightweight–TheCSWprovidespuresinewavepower fromasmallfootprintdesignedtofitintightvehicleandmarine spaces.Anditislightweight,sowon’tweighyoudown. •At-a-GlanceStatus–Theinverter’sstatuscanbedeterminedata glancewiththeeasy-to-rea	Sensata Sensata Technologies, Inc.	Sensata
CSW2012-X	文件：207.87 Kbytes Page：3 Pages	COMPACT SINE WAVE ON THE GO Features •CompactandLightweight–TheCSWprovidespuresinewavepower fromasmallfootprintdesignedtofitintightvehicleandmarine spaces.Anditislightweight,sowon’tweighyoudown. •At-a-GlanceStatus–Theinverter’sstatuscanbedeterminedata glancewiththeeasy-to-rea	Sensata Sensata Technologies, Inc.	Sensata
CTDIP2012F	文件：517.5 Kbytes Page：2 Pages	Multi-layerDiplexer	CT Central Technologies	CT
CTDLP2012F	文件：170.13 Kbytes Page：1 Pages	SMDCommonModeFilters	CT Central Technologies	CT
CTF2012S	文件：159 Kbytes Page：1 Pages	CommonModeChokeCoils-Radial	CT Central Technologies	CT
CTF2012SF	文件：134.22 Kbytes Page：1 Pages	CommonModeChokeCoils-Radial	CT Central Technologies	CT
CTIHLP2012BF	文件：349.33 Kbytes Page：1 Pages	PowerInductors-Shielded	CT Central Technologies	CT
CTIHLP2012CF	文件：355.17 Kbytes Page：1 Pages	PowerInductors-Shielded	CT Central Technologies	CT
CTLL2012	文件：717.25 Kbytes Page：1 Pages	Multi-layerChipInductors-Ceramic	CT Central Technologies	CT
CTLL2012F	文件：306.59 Kbytes Page：1 Pages	Multi-layerChipInductors-Ceramic	CT Central Technologies	CT
CTLL2012F-FH	文件：306.59 Kbytes Page：1 Pages	Multi-layerChipInductors-Ceramic	CT Central Technologies	CT
CTLL2012FH	文件：717.64 Kbytes Page：1 Pages	Multi-layerChipInductors-Ceramic	CT Central Technologies	CT
CTLPF2012	文件：174.08 Kbytes Page：1 Pages	Multi-layerChipLowPassFilters	CT Central Technologies	CT
CTLVH2012F	文件：131.47 Kbytes Page：1 Pages	PowerInductors-Shielded	CT Central Technologies	CT
CZRB2012	文件：97.36 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountZenerDiode Voltage:11-100VoltsPower:2.0Watt Features -Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace -Lowprofilepackage -Built-instrainrelief -Glasspassivatedjunction -Lowinductance -Excellentclampingcapability -TypicalIlessthan1uAabove11VD -Highte	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
D2012	文件：24.28 Kbytes Page：1 Pages	SiNPNTRANSISTOR DESCRIPTIONANDFEATURES 1.Collector-Emittervoltage:BVCBO=60V 2.Collectorcurrentupto3A 3.HighhFElinearity	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
D2012	文件：133.1 Kbytes Page：5 Pages	AudioFrequencyPowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
D2012UK	文件：53.88 Kbytes Page：4 Pages	METALGATERFSILICONFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
DG2012	文件：73.01 Kbytes Page：8 Pages	Low-VoltageSingleSPDTAnalogSwitch DESCRIPTION TheDG2012isasingle-pole/double-throwmonolithicCMOSanalogswitchdesignedforhighperformanceswitchingofanalogsignals.Combininglowpower,highspeed(tON:17ns,tOFF:13ns),lowon-resistance(rDS(on):1Ω)andsmallphysicalsize(SC70),theDG2012isidealforportabl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2012	文件：122.14 Kbytes Page：9 Pages	Low-VoltageSingleSPDTAnalogSwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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