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CSP08N6P5

沟槽MOSFET

Convert

锴威特

CSP100R12B61200V100A

IGBT模块

科瑞半导体/Corisemi

上传:深圳市光格集成电路有限公司

科瑞半导体/Corisemi

CSP15R12F61200V15A

IGBT模块

科瑞半导体/Corisemi

上传:深圳市光格集成电路有限公司

科瑞半导体/Corisemi

CSP25R12G61200V25A

IGBT模块

科瑞半导体/Corisemi

上传:深圳市光格集成电路有限公司

科瑞半导体/Corisemi

CSP25R12H61200V25A

IGBT模块

科瑞半导体/Corisemi

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科瑞半导体/Corisemi

技术参数

  • Package:

    TO-220

  • Configuration:

    single

  • Type:

    N

  • ESD Diode:

    No

  • FRD Diode:

    No

  • VDS(V):

    80

  • VGS(±V):

    20

  • ID* (A) @25°C:

    130

  • RDS(ON) (mΩ)* atVGS=10Vtyp:

    4.5

  • RDS(ON) (mΩ)* atVGS=10Vmax:

    6.5

  • RDS(ON) (mΩ)* atVGS=4.5Vtyp:

    6.5

  • RDS(ON) (mΩ)* atVGS=4.5Vmax:

    8.5

  • VGS(th) (V)min:

    1.2

  • VGS(th) (V)max:

    2.5

  • Ciss (pF):

    2900

  • Coss (pF):

    420

  • Crss (pF):

    40

  • Qg* (nC):

    40

  • Qgd (nC):

    6.5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Convert Semiconductor(锴威特半
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更多CSP08N6P5供应商 更新时间2025-12-12 15:01:00