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CSNR651	文件：712.58 Kbytes Page：9 Pages	SolidStateSensorsClosedLoopCurrentSensors DESCRIPTION ThesenewindustrialcurrentsensorsextendHoneywell’sclosedloopcurrentsensingcapability.Theyofferincreasedcurrentmeasuringcapabilityupto1000Aoveranextendedtemperaturerangeof-40°Cto+85°Candareavailablewithdifferentterminaloptions. Thesensorsareclo	HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center 霍尼韦尔霍尼韦尔国际	Honeywell
CSNT651	文件：712.58 Kbytes Page：9 Pages	SolidStateSensorsClosedLoopCurrentSensors DESCRIPTION ThesenewindustrialcurrentsensorsextendHoneywell’sclosedloopcurrentsensingcapability.Theyofferincreasedcurrentmeasuringcapabilityupto1000Aoveranextendedtemperaturerangeof-40°Cto+85°Candareavailablewithdifferentterminaloptions. Thesensorsareclo	HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center 霍尼韦尔霍尼韦尔国际	Honeywell
CZT651	文件：74.82 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTNPNHIGHCURRENTSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT651isaNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighcurrentapplications MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CZT651	文件：463.1 Kbytes Page：2 Pages	NPN-HighCurrentTransistorChip PROCESSCP314V SmallSignalTransistor NPN-HighCurrentTransistorChip	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
DLP651LE	文件：1.33983 Mbytes Page：41 Pages	DLP651LE0.65WXGADigitalMicromirrorDevice 1Features •0.65-inchdiagonalmicromirrorarray –WXGA(1280×800)displayresolution –10.8μmmicromirrorpitch –±12°micromirrortiltangle(relativetoaflat surface) –Cornerillumination •2×LVDSinputdatabus •TheDLP651LEchipsetincludes: –DLP651LEDMD –DLPC4430control	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
DLP651NE	文件：1.6975 Mbytes Page：43 Pages	DLP651NE0.651080pDMD	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
DXT651	文件：146.15 Kbytes Page：4 Pages	LOWVCE(SAT)NPNSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>60V •IC=3AhighContinuousCurrent •LowsaturationvoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DXT651Q	文件：385.62 Kbytes Page：6 Pages	60VNPNLOWSATURATIONPOWERTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofautomotiveapplications. Features •BVCEO>60V •IC=3AHighContinuousCollectorCurrent •ICMupto6APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DZT651	文件：148.67 Kbytes Page：4 Pages	LOWVCE(SAT)NPNSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(DZT751) •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ELM651DA	文件：1.02851 Mbytes Page：10 Pages	CC/CVMode36Vstepdown5ADC/DCconverter	ELM ELM Electronics	ELM

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详细参数

型号：
CSNB651
制造商：
HONEYWELL
制造商全称：
Honeywell Solid State Electronics Center
功能描述：
Solid State Sensors Closed Loop Current Sensors

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市润联芯城科技有限公司	CSNC04N8P5	CCSEMI/芯能圆	23+	QFN3X3-8	50000	原装正品支持实单	询价
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