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KF7N50I	文件：393.28 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF7N50P	文件：1.22508 Mbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF7N50P	文件：1.21941 Mbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=500V,ID=7A	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MDF7N50	文件：746.96 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,7.0A,0.9(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF7N50BTH	文件：1.18111 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,7.0A,0.9(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF7N50BTH	文件：322.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDF7N50TH	文件：322.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDF7N50TH	文件：746.96 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,7.0A,0.9(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP7N50	文件：741.97 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,7.0A,0.9(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP7N50B	文件：1.18111 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,7.0A,0.9(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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