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IRFIB7N50L	文件：216.64 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET FeaturesandBenefits ●SuperFastbodydiodeeliminatestheneedforexternaldiodesinZVSapplications ●LowerGatechargeresultsinsimplerdriverequirements ●EnhanceddV/dtcapabilitiesofferimprovedruggedness ●HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity Applicatio	IRF International Rectifier	IRF
IRFIB7N50L	文件：193.78 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •SuperFastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDriveReqirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity •Lead(Pb)-fr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRFIB7N50LPBF	文件：193.78 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •SuperFastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDriveReqirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity •Lead(Pb)-fr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
KF7N50	文件：1.22508 Mbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF7N50	文件：1.21941 Mbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=500V,ID=7A	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF7N50	文件：393.28 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF7N50D	文件：393.28 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
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