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CSE3N100D	文件：300 bytes Page：1 Pages	1000V N-Channel Planar MOSFET	Convert 锴威特	Convert
DAM3N100L	文件：484.17 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：484.17 Kbytes 页数：4 Pages	DACO 罡境电子	DACO
IXTA3N100P	文件：155.83 Kbytes Page：4 Pages	Polar VHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode 文件：155.83 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTA3N100P	文件：336.58 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：336.58 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Package：
TO252-2
Polarity：
N
Technology：
HVMOS
ESDDiode：
Y
FRDDiode：
N
VDS(V)：
1000
ID (A)：
3
Vth(V)Typ：
3.5
RDS(ON) (mΩ)10Vtyp：
4700
Qg* (nC)：
24.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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