40-V Half-Bridge NexFET Power Block

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采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块

CSD88584Q5DC 40V 电源块是用于高电流电机控制应用的优化设计，这些 应用包括手持无线园艺和电动工具等。该器件利用 TI 获得专利的堆叠裸片技术，以最大限度地减小寄生电感，同时在节省空间的热增强型 DualCool™5mm × 6mm 封装中提供完整的半桥。利用外露的金属顶部，该电源块器件允许简单散热应用将热量从封装顶部吸收并将其从 PCB 带走，从而在许多电机控制应用所要求的较高电流下，实现出色的热 性能。 • 半桥电源块\n• 高密度 5mm × 6mm SON 封装\n• 低 RDS(ON)，可实现最小的传导损耗 \n• 电流为 35A 时，PLoss 为 2.4W\n \n• DualCool™热增强型封装\n• 超低电感封装\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 无铅引脚镀层;

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