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CSD75207W15	文件：809.99 Kbytes Page：11 Pages	丝印：75207；Package：DSBGA；CSD75207W15 Dual P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Dual P-Channel MOSFETs • Common Source Configuration • Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm • Gate-Source Voltage Clamp • Gate ESD Protection >4 kV – HBM JEDEC standard JESD22-A114 • Pb and Halogen Free • RoHS Compliant 2 Applications • Battery Management • Battery Protection 文件：809.99 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD75207W15	文件：1.2995 Mbytes Page：12 Pages	Dual P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：1.2995 Mbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD75207W15	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共源极、27mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD75207W15 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。此器件也已经被授予美国专利 7952145，7420247，7235845 和 6600182。 • 双路 P 通道 MOSFET\n• 小型封装尺寸 1.5mm x 1.5mm\n• 栅极静电放电 (ESD) 保护大于 4kV \n• 无铅且无卤素\n• 符合 RoHS 环保标准;	TI 德州仪器	TI
CSD75207W15.B	文件：809.99 Kbytes Page：11 Pages	丝印：75207；Package：DSBGA；CSD75207W15 Dual P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Dual P-Channel MOSFETs • Common Source Configuration • Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm • Gate-Source Voltage Clamp • Gate ESD Protection >4 kV – HBM JEDEC standard JESD22-A114 • Pb and Halogen Free • RoHS Compliant 2 Applications • Battery Management • Battery Protection 文件：809.99 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

VGS (V)：
-6
Configuration：
Dual Common Source
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
27
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)：
39
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)：
81
Id peak (Max) (A)：
-24
Id max cont (A)：
-3.9
QG typ (nC)：
2.9
QGD typ (nC)：
0.4
QGS typ (nC)：
0.7
VGSTH typ (V)：
-0.8
Package (mm)：
WLP 1.5x1.5

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