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CSD25481F4.B	文件：900.87 Kbytes Page：11 Pages	CSD25481F4 20 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low on resistance • Ultra-low Qg and Qgd • High operating drain current • Ultra-small footprint (0402 Case Size) – 1 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.36 mm max height • Integrated ESD protection diode – Rated >4 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • R 文件：900.87 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25481F4R	文件：1.30257 Mbytes Page：12 Pages	20V, P-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：1.30257 Mbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25481F4R	文件：1.3306 Mbytes Page：14 Pages	CSD25481F4, 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET 文件：1.3306 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25481F4T	文件：900.87 Kbytes Page：11 Pages	CSD25481F4 20 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low on resistance • Ultra-low Qg and Qgd • High operating drain current • Ultra-small footprint (0402 Case Size) – 1 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.36 mm max height • Integrated ESD protection diode – Rated >4 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • R 文件：900.87 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI

更多CSD25481F4.B供应商更新时间2026-1-23 14:16:00