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CSD19535KCS	文件：321.55 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=150A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
CSD19535KCS	文件：804.91 Kbytes Page：10 Pages	CSD19535KCS, 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
CSD19535KTT	文件：321.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.4mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
CSD19535KTT	文件：339.5 Kbytes Page：12 Pages	100VN-ChannelNexFETPowerMOSFET	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
CSD19535KTTT	文件：339.5 Kbytes Page：12 Pages	100VN-ChannelNexFETPowerMOSFET	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
L-19535	文件：16.12 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTDRUMCOREINDUCTOR	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.

更多CSD19535KCS供应商更新时间2024-4-27 14:14:00