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CSD19506KTT	文件：430.77 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD19506KTT；Package：DDPAK/TO-263；CSD19506KTT 80 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description This 80-V, 2.0-mΩ, D2PAK (TO-263) Nex 文件：430.77 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19506KTT.B	文件：430.77 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD19506KTT；Package：DDPAK/TO-263；CSD19506KTT 80 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description This 80-V, 2.0-mΩ, D2PAK (TO-263) Nex 文件：430.77 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19506KTTT	文件：430.77 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD19506KTT；Package：DDPAK/TO-263；CSD19506KTT 80 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description This 80-V, 2.0-mΩ, D2PAK (TO-263) Nex 文件：430.77 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19506KTTT.B	文件：430.77 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD19506KTT；Package：DDPAK/TO-263；CSD19506KTT 80 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description This 80-V, 2.0-mΩ, D2PAK (TO-263) Nex 文件：430.77 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19506KTT	文件：322.13 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 200A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.3mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：322.13 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
CSD19506KTT	文件：408.74 Kbytes Page：13 Pages	80 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：408.74 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19506KTTT	文件：408.74 Kbytes Page：13 Pages	80 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：408.74 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19506KTT	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2PAK 封装的单路、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 80V、2.0mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。 • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩级\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• D2PAK 塑料封装;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
2.3
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
400
QG typ (nC)：
120
QGD typ (nC)：
20
Package (mm)：
D2PAK
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
2.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
291
ID - package limited (A)：
200
Logic level：
No

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更多CSD19506KTT供应商更新时间2025-10-12 16:36:00

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