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CSD18563Q5AT

N-Channel NexFET Power MOSFET

文件:825.9 Kbytes 页数:13 Pages

TI

德州仪器

CSD18563Q5A

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 5.7mΩ、60V NexFET™功率 MOSFET用于与 CSD18537NQ5A 控制 FET 配对并充当完整工业降压转换器芯片组解决方案的同步 FET。 • 超低 Qg 和 Qgd\n• 采用软体二极管以降低振铃效应\n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 逻辑电平\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装;

TI

德州仪器

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms):

    10.8

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms):

    6.8

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A):

    251

  • QG typ (nC):

    15

  • QGD typ (nC):

    2.9

  • Package (mm):

    SON5x6

  • VGS (V):

    20

  • VGSTH typ (V):

    2

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A):

    93

  • ID - package limited (A):

    100

  • Logic level:

    Yes

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多CSD18563Q5A供应商 更新时间2025-10-8 15:18:00