丝印：CSD18536KCS；Package：TO-220；CSD18536KCS 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Pb-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description This 60V, 1.3mΩ, TO-220 NexFET™ power

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丝印：CSD18536KCS；Package：TO-220；CSD18536KCS 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Pb-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description This 60V, 1.3mΩ, TO-220 NexFET™ power

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 200A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.6mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

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无锡固电

CSD18536KCS 60 V N-Channel NexFET Power MOSFET

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CSD18536KCS 60 V N-Channel NexFET Power MOSFET

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采用 TO-220 封装的单路、1.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 60V，1.3mΩ，TO-220 NexFET™功率 MOSFET 的设计被用来降低功率转换中的损耗， 损耗。 • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩级\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 晶体管 (TO)-220 塑料封装;

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