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CSD17573Q5B	文件：557.29 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD17573；Package：VSON-CLIP；CSD17573Q5B 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features 1• Low Qg and Qgd • Ultra-Low RDS(on) • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom, 文件：557.29 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
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CSD17573Q5BG4.B	文件：560.62 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD17573；Package：VSON-CLIP(DNK)；CSD17573Q5B 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features 1• Low Qg and Qgd • Ultra-Low RDS(on) • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom, 文件：560.62 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17573Q5BG4.B	文件：557.29 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD17573；Package：VSON-CLIP；CSD17573Q5B 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1 Features 1• Low Qg and Qgd • Ultra-Low RDS(on) • Low-Thermal Resistance • Avalanche Rated • Lead-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom, 文件：557.29 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
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技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
1.45
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
1
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
400
QG typ (nC)：
49
QGD typ (nC)：
11.9
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
1.4
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
332
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CSD17573Q5供应商更新时间2025-11-28 14:18:00

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