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CSD17307Q5A	文件：413.29 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17307；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point of Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, 文件：413.29 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17307Q5A.B	文件：413.29 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD17307；Package：VSONP；30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point of Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, 文件：413.29 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17307Q5A	文件：355.8 Kbytes Page：10 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：355.8 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17307Q5A	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、12.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications. • Optimized for 5V Gate Drive\n• Ultralow Qg and Qgd\n• Low Thermal Resistance\n• Avalanche Rated\n• Pb Free Terminal Plating\n• RoHS Compliant\n• Halogen Free\n• SON 5-mm × 6-mm Plastic Package\n• APPLICATIONS \n• Notebook Point of Load\n• Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and C;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
12.1
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
92
QG typ (nC)：
4
QGD typ (nC)：
1
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
1.3
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
73
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

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中天科工半导体（深圳）有限公司	CSD17307Q5A	原装	25+	DFN5x6	20300	原装特价CSD17307Q5A即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多CSD17307供应商更新时间2025-12-16 17:16:00

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