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FDT458P	文件：99.75 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers,andbatterychargers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMMT458	文件：79.35 Kbytes Page：2 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR Features •BVCEO>400V •IC=225mAHighContinuousCollectorCurrent •ICM=1APeakPulseCurrent •500mWPowerDissipation •ExcellenthFECharacteristicsUpTo100mA •ComplementaryPNPType:FMMT558 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimo	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT458	文件：36.23 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltageTransistor Features ●400VoltVCEO	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FMMT458	文件：130.19 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR FEATURES *400VoltVCEO	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT458	文件：155.63 Kbytes Page：1 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistor NPNEpitaxialPlanarTransistor	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
FMMT458	文件：492.52 Kbytes Page：7 Pages	400VNPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT458	文件：180.7 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Highvoltage. ●ComplementaryToFMMT558.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
FMMT458	文件：854.75 Kbytes Page：10 Pages	230VACTriacDimmableGU10LEDDriver GeneralDescription ThisAP1694ATriacDimmableGU1012V/400mABuckLEDsdriverEVboardusetappedtransformertoincreasingpowerconversionturnondutycycle,boostcurrentbacktoLEDduringratiooftappedwinding.Alsothebiggergaugewirecanbeusedaswellasthelargeinductancecanb	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT458	文件：1.07882 Mbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Highvoltage. ●ComplementaryToFMMT558.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
FMMT458	文件：295.71 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·Collector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.3V(Max.)@IC=-0.01A ·Collector-EmitterBreakdownVoltage :V(BR)CEO=400V(Min) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Relaydrivers,lampdrivers,motordrivers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
CSC458
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92

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