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FMMT458分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

FMMT458
厂商型号

FMMT458

参数属性

FMMT458 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 0.225A SOT23-3

功能描述

SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

79.35 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-13 19:48:00

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FMMT458规格书详情

Features

• BVCEO > 400V

• IC = 225mA High Continuous Collector Current

• ICM = 1A Peak Pulse Current

• 500mW Power Dissipation

• Excellent hFE Characteristics Up To 100mA

• Complementary PNP Type: FMMT558

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

• PPAP Capable (Note 4)

产品属性

  • 产品编号:

    FMMT458TA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 6mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 50mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    50MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 0.225A SOT23-3

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