300V-900V NMOS

CS6N70 A3D-G, N沟道增强型MOS产品, 采用自对准平面工艺减少开关损耗, 提高开关速度 并且增强脉冲能量. 该产品广泛应用于高效和小型化的功率开关电路中。 ●开关速度快\n●低导通电阻(Rdson≤1.8欧姆)\n●低栅电荷 (Typical Data:15.5nC)\n●低反向传输电容(Typical:6pF)\n●100% 脉冲能量测试;

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